產(chǎn)品名稱:SRM 2134 - 硅深度剖面標(biāo)準(zhǔn)中的砷植入 標(biāo)準(zhǔn)品
英文名稱:Arsenic Implant in Silicon Depth Profile Standard
品牌:美國NIST
產(chǎn)品編號(hào) | 規(guī)格 | 貨期 | 銷售價(jià) | 您的折扣價(jià) |
---|---|---|---|---|
SRM 2134 | each | 現(xiàn)貨 | 27210 | 立即咨詢 |
SRM 2134 - 硅深度剖面標(biāo)準(zhǔn)中的砷植入 標(biāo)準(zhǔn)品 旨在用于通過二次離子質(zhì)譜 (SIMS) 分析技術(shù)校準(zhǔn)對(duì)硅基質(zhì)中微量和痕量砷的二次離子響應(yīng),。 SRM 2134 用于校準(zhǔn) SIMS 儀器在特定儀器條件下對(duì)硅基質(zhì)中砷的響應(yīng)。它也可以被實(shí)驗(yàn)室用作校準(zhǔn)硅中砷工作標(biāo)準(zhǔn)的轉(zhuǎn)移標(biāo)準(zhǔn),。 SRM 2134 的一個(gè)單元由一個(gè) 1 cm × 1 cm 的單晶硅襯底組成,,該襯底已被離子注入同位素 75As,標(biāo)稱能量為 100 keV。 SRM 2134 經(jīng)認(rèn)證可用于 75As 原子的保留劑量,。劑量以每單位面積的砷質(zhì)量單位表示,。 SIMS 提供了關(guān)于砷原子濃度隨地表以下深度變化的其他未經(jīng)認(rèn)證的信息。
認(rèn)證濃度值:
75As 原子的總保留劑量通過儀器中子活化分析確定,。將兩種獨(dú)立制備的砷參考溶液(其中一種是 NIST SRM 3103a 砷標(biāo)準(zhǔn)溶液,,經(jīng)砷濃度認(rèn)證)等分試樣沉積在濾紙上,作為分析中的標(biāo)準(zhǔn),。由此產(chǎn)生的認(rèn)證價(jià)值和 擴(kuò)展的不確定性是
認(rèn)證值的不確定度表示為擴(kuò)展不確定度 U = kuc,,其中 k 是 2.04 的覆蓋因子,置信水平約為 95%,,uc 是根據(jù) ISO 指南 [1] 計(jì)算的組合標(biāo)準(zhǔn)不確定度.組合標(biāo)準(zhǔn)不確定度是從測(cè)量過程中導(dǎo)出或估計(jì)的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)不確定度的平方和的平方根,。
A 型和 B 型標(biāo)準(zhǔn)不確定度分量來自以下主要來源的測(cè)量不確定度:(1) 比較標(biāo)準(zhǔn)的濃度,(2) 樣品和標(biāo)準(zhǔn)之間的中子注量暴露差異,,(3) 測(cè)量復(fù)制,,(4) 標(biāo)準(zhǔn)的計(jì)數(shù)統(tǒng)計(jì),(5) 脈沖堆積,,以及 (6) 衰減時(shí)間效應(yīng),。所有已知的潛在不確定性來源都已被考慮 [2-4]。
處理,、儲(chǔ)存和使用說明
處理:SRM 2134 - 硅深度剖面標(biāo)準(zhǔn)中的砷植入 標(biāo)準(zhǔn)品 的植入面是拋光的反射面,。該表面在包裝前已清潔。使用前,,應(yīng)立即使用加壓空氣除塵器從表面清除灰塵顆粒,。不建議在氫氟酸中蝕刻此 SRM,因?yàn)楸砻嫜趸锟赡軙?huì)去除一些砷,。
儲(chǔ)存:不使用時(shí),,SRM 應(yīng)存放在其原始托盤中,并蓋緊蓋子,。
用途:隨著連續(xù)層被離子轟擊去除,,SIMS 可以通過監(jiān)測(cè)一種或多種濺射離子種類,獲得作為深度函數(shù)的材料成分信息,。使用該技術(shù)時(shí),,通常使用與未知物質(zhì)在同一基質(zhì)中的相同物質(zhì)的參考樣品校準(zhǔn)物質(zhì)的濃度值